摘要：［目的］针对电子封装领域对高导热涂层材料的需求，聚焦金刚石/铜（Cu）涂层因界面结合差而制约其导热性能这一问题，开展了涂层热导率优化与界面调控研究。［方法］基于COMSOL有限元软件，建立了金刚石/Cu涂层三维仿真模型，系统模拟了金刚石粒径（50～300 μm）与碳化硅（SiC）界面层厚度（1～10 μm）对涂层热导率的影响规律。［结果］结果表明：涂层热导率随金刚石粒径增加呈先升后降的变化趋势，在粒径为250 μm时达到峰值，为296 W/ （m · K）；SiC界面层厚度亦存在最佳调控区间，在厚度为3 μm时，涂层热导率为463 W/ （m · K）。［结论］为验证SiC对涂层的界面改善效果，进一步开展了实验制备，通过SEM形貌分析表明：引入Si原位生成SiC界面层后，金刚石与Cu基体间的界面孔隙减少、结合更为致密，从微观尺度直接证实了SiC层对界面结合的改善作用。本研究为电子封装用高性能金刚石/Cu涂层的设计提供了理论依据与参考。